收藏本站
IRF8721GPbF
16
12
2.4
2.2
2.0
1.8
I D = 25μA
8
4
0
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
25
50
75
100
125
150
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TA, Ambient Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
100
D = 0.50
TJ , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage Vs. Temperature
10
0.20
0.10
0.05
1
0.02
0.01
τ J
τ J
τ 1
τ 1
R 1
R 1
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
τ 3
R 4
R 4
τ 4
τ 4
τ a
Ri (°C/W) τι (sec)
1.935595 0.000148
7.021545 0.019345
26.61013 0.81305
0.1
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Ci= τ i / Ri
Ci i / Ri
14.43961 26.2
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + Tc
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1, Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRF9204PBF MOSFET P-CH 40V 74A TO-220AB
IRF9332PBF MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
IRF9392TRPBF MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
IRF9410PBF MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
IRF9410TR MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
IRF9520NLPBF MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262-3
IRF9520NSTRR MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
IRF9530NSTRR MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
相关代理商/技术参数
IRF8721PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 8.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF8721TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF8734PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 20nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF8734TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF8736PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF8736TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF8788PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF8788TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube